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  作為世界領(lǐng)先的功率分離和模塊半導(dǎo)體供應(yīng)商之一，安森美開發(fā)了20多個(gè)光伏和儲(chǔ)能線路IGBT/IGBTSiCHybrid模塊商品，功率覆蓋5kW～300kW(截至2022年6月)，能效高、功率密度高、可靠性高，配合相應(yīng)的門極驅(qū)動(dòng)、計(jì)算放大器等商品，充分滿足家庭、工業(yè)、光存儲(chǔ)一體化系統(tǒng)和大型電站的需求，輔以各種參考設(shè)計(jì)開發(fā)工具和現(xiàn)場應(yīng)用支持，幫助客戶處理設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，促進(jìn)行業(yè)發(fā)展。

  針對光伏逆變器市場對1500 V母線，最大并網(wǎng)功率350 kW組串機(jī)型的需求，安森美推出了三款直流升壓模塊(對稱拓?fù)浜惋w跨電容拓?fù)?/span>)，NXH800A100L4Q2F2S1/2G一款交流逆變模塊(雙拼ANPC拓?fù)?/span>)。針對1500 V母線儲(chǔ)能逆變器市場，安森美推出了INPC拓?fù)淠KNXH350N100H4Q2F2S1G：三相最大功率200-250 kW(雙向功率pf=1和-1)。這些方案都提供高能效、高功率密度且具成本優(yōu)勢。

  碳化硅(以下簡稱“SiC“)是很熱門也很重要的技術(shù)，安森美在這個(gè)領(lǐng)域有著深厚的歷史積淀，是少數(shù)具有垂直整合能力的SiC方案供應(yīng)商之一，包括SiC晶錠生長、襯底、外延、晶圓制造、同類最佳的集成模塊和分立封裝解決方案。寬廣的SiC功率器件陣容包括650/1200/1700 V SiC二極管、650/900/1200 V SiC MOSFET、集成IGBT和SiC二極管的混合模塊、全SiC模塊，滿足客戶各種不同的尺寸、成本和能效要求。

  公司持續(xù)提升并拓展第三代半導(dǎo)體功率器件在光伏、儲(chǔ)能應(yīng)用, IGBT和SiC二極管混合模塊產(chǎn)品已經(jīng)廣泛地使用，未來會(huì)發(fā)展更多SiC-MOSFET模塊產(chǎn)品。

  經(jīng)過市場的考驗(yàn)，在安森美的智能電源產(chǎn)品體系當(dāng)中誕生了眾多明星產(chǎn)品系列：

  APM32系列汽車碳化硅功率模塊

  APM32系列是把尖端前沿的碳化硅技術(shù)和同類最佳的壓鑄模封裝相結(jié)合的行業(yè)首創(chuàng)產(chǎn)品，可提高能效并縮短電動(dòng)車的充電時(shí)間，專用于11 kW到22 kW的大功率車載充電器和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換。 

APM32使電動(dòng)車充電更快和續(xù)航里程更遠(yuǎn)，這是消費(fèi)者極為看重的兩個(gè)關(guān)鍵因素。設(shè)計(jì)人員采用預(yù)配置的APM32模塊格式，能夠更快地配置他們的設(shè)計(jì)，大大縮短上市時(shí)間和降低設(shè)計(jì)風(fēng)險(xiǎn)。APM32也為客戶提供差異化的解決方案。

  汽車主驅(qū)碳化硅功率模塊

  VE-Trac Direct SiC

  主驅(qū)逆變是電動(dòng)車電氣系統(tǒng)的關(guān)鍵，直接影響電動(dòng)車的能效、性能和續(xù)航能力。

  VE-Trac?Direct SiC系列是單面水冷碳化硅功率模塊，在性能、能效和質(zhì)量方面達(dá)到了新的水平，解決了電動(dòng)車主驅(qū)逆變器的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，將電池能量轉(zhuǎn)換為大的扭矩和加速，使電動(dòng)車的續(xù)航里程更長、能效更高、加速更快。

具有標(biāo)準(zhǔn)化的機(jī)械尺寸和擴(kuò)展的額定功率，設(shè)計(jì)人員采用該系列模塊可輕松擴(kuò)展電動(dòng)車的功率輸出，加速電動(dòng)/混動(dòng)車的采用。

  高功率圖騰柱PFC控制器NCP1681

  NCP1681為需要滿足具有挑戰(zhàn)性的能效標(biāo)準(zhǔn)，如“80Plus”或“CoC Tier 2”等在寬負(fù)載范圍都需要達(dá)到高能效標(biāo)準(zhǔn)的應(yīng)用場合提供有效解決方案，同時(shí)減少設(shè)計(jì)時(shí)間和成本，在高壓輸入下，NCP1681圖騰柱功率因數(shù)校正(以下簡稱“PFC”)方案的能效將達(dá)近99%。

NCP1681專用于無橋圖騰柱PFC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，將非數(shù)字類控制圖騰柱PFC設(shè)計(jì)的優(yōu)勢擴(kuò)展到kW功率，目標(biāo)應(yīng)用是超高密度大功率離線電源，包括服務(wù)器電源、高性能計(jì)算機(jī)電源、通訊電源、工業(yè)電源和OLED電視電源等應(yīng)用。

  首款TOLL封裝的 650 V SiC MOSFET

  NTBL045N065SC1是首款采用TOLL封裝的SiC MOSFET，適用于要求嚴(yán)苛的應(yīng)用，包括開關(guān)電源(SMPS)、服務(wù)器和電信電源、太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)和儲(chǔ)能。

  該器件適用于需要滿足最具挑戰(zhàn)性的能效標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計(jì)，包括ErP和80 PLUS Titanium能效標(biāo)準(zhǔn)，滿足了對適合高功率密度設(shè)計(jì)的高性能開關(guān)器件迅速增長的需求。

  TOLL封裝的尺寸僅為9.90 mmx11.68 mm，比D2PAK封裝的PCB面積節(jié)省30%。而且，它的厚度只有2.30 mm，比D2PAK封裝的體積小60%。

  為滿足市場對SiC不斷增長的需求，安森美大力擴(kuò)建SiC工廠，公司位于美國新罕布什爾州哈德遜 (Hudson, New Hampshire) 的SiC 工廠，將使安森美到2022年底的SiC晶圓產(chǎn)能同比增加五倍，在捷克共和國Roznov擴(kuò)建的SiC 工廠，將在未來兩年內(nèi)將SiC晶圓產(chǎn)能提高16倍，致力為客戶提供關(guān)鍵的供應(yīng)保證。