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如何手動計算IGBT的損耗
2023-01-14 979次

  隨著高端測試儀器和仿真軟件的普及,大部分的損耗計算都可以使用工具自動完成,節(jié)省了不少精力。今天詳細介紹一下IGBT損耗計算方法同時一起復習一下高等數(shù)學知識。

  我們先來看一個IGBT的完整工作波形:



如何手動計算IGBT的損耗





  IGBT的損耗可以分為開關損耗和導通損耗,其中開關損耗又分為開通和關斷兩部分,下面我分別來看一下各部分的計算推導過程。


  開關損耗-開通部分

 我們先來看一下理想的IGBT開通波形:



如何手動計算IGBT的損耗


  我們需要先分別寫出電流和電壓的線性方程,先看電流線性方程:分別找到電流開關波形中的兩個坐標(0,0) 和 (Δt_on, Ic) , 那么電流線性方程:




  電壓線性方程,同樣找到電壓波形中的兩個坐標(0,Vce), (Δt-on,0),那么電壓線性方程:




  根據(jù)損耗計算的定義:



如何手動計算IGBT的損耗


  這樣開關損耗中的開通部分計算公式我們就推導完成了,那是不是我們有了計算公式就可以直接用了呢?我們先來看看實際的開通波形:


如何手動計算IGBT的損耗


  上圖是實測的IGBT開通波形,藍色是Vce波形,紅色是Ic波形??梢钥吹絀c在整個上升過程中還是比較線性的,但是Vce在跌落的時候斜率分成了幾段,這個時候我們推導的理想開關波形的損耗似乎就沒什么用了,那怎么辦呢?

  其實雖然我們之前的推導結果不能直接用,但是推導過程我們還是可以借鑒的,我們可以把整個波形根據(jù)Vce 的斜率分成幾個部分來近似計算,如下圖所示,對應時間分別是Δt1, Δt2, Δt3。


如何手動計算IGBT的損耗


  我們先來計算Δt1部分的損耗:


如何手動計算IGBT的損耗


  如上圖,我們先找到電壓和電流波形與Δt1時間標注線的四個交點,標注為:

  A(0,Vce1), B(Δt1,Vce2), C(0,0), D(Δt1,Ic1).

  Δt1內的Vce表達式:




  Δt1內的Ic表達式:



  Δt1內的損耗表達式及推導:



  從波形中可以讀出:

  Vce1=260V, Vce2=220V, Ic1=20.3A, Δt1=70ns, 帶入上面公式可以得到:




  我們用同樣的方法計算Δt2部分:

  同樣先找到電壓和電流波形與Δt2時間標注線的四個交點:

  E(0,Vce2), F(Δt2,Vce3), G(0,Ic1), H(Δt2,Ic2).


如何手動計算IGBT的損耗


  Δt2內的Vce表達式:



  Δt2內的Ic表達式:



  Δt2內的損耗表達式及推導:


如何手動計算IGBT的損耗


  從波形中可以讀出:

  Vce3=50V, Vce2=220V,

  Ic1=20.3A, Ic2=29.3A Δt2=40ns,帶入上面公式可以得到



  最后是Δt3部分:

  四個交點:

  I(0,Vce3), J(Δt3,Vce3), K(0,Ic2), L(Δt3,Ic3).


如何手動計算IGBT的損耗


  Δt3內的Vce我們取近似常數(shù):



  Δt3內的Ic表達式:



  Δt3內的損耗表達式及推導:



  從示波器中可以讀出:Vce3=40V, Ic2=29.3A, Ic3=19A Δt3=30ns, 帶入上面公式可以得到



  這樣把三部分算好加起來就是開通的總損耗:



  導通部分損耗計算

  IGBT導通狀態(tài)下處于飽和狀態(tài),我們只需要對導通狀態(tài)下的飽和電壓Vce和電流Ic乘積積分就可以:



  但是導通狀態(tài)下的Vce實際是和Ic關聯(lián)的,Vce會隨著Ic的變化而變化,我們直接拿下面的實際測試波形來舉例分析:


如何手動計算IGBT的損耗


  從波形上看,Ic在IGBT導通狀態(tài)下是線性上升的,對應的Vce應該也是線性增加的,但是因為實際測試中Vce有高壓狀態(tài)的原因,我們會選擇高壓差分探頭測試。當IGBT導通時Vce只有1-2V, 這時差分探頭對低壓部分的測試精度就成了問題,那么我們怎么近似的計算這部分導通損耗呢?


  我們可以參考規(guī)格書中的Vce曲線:



如何手動計算IGBT的損耗


  實際測試波形電流在20A左右,所以我們把20A左右的曲線單獨放大取出來:


如何手動計算IGBT的損耗


  Vce表達式:




  然后我們來看電流部分,首先我們在波形上取A,B兩點,導通時間Δt,如下:


如何手動計算IGBT的損耗


  兩個點坐標:A(0,Ic1), B(Δt,Ic2):

  Δt內的Ic表達式:



  Δt內的導通損耗表達式及推導:



  從波形中可以讀出:Ic1=9.5A, Ic2=14A, Δt=14us,帶入上面公式可以得到



  注:關于Vce-Ic曲線,規(guī)格書中通常會提供常溫(25度)和高溫(150度或者175度)兩種,為了貼近實際工作狀態(tài),建議選擇高溫曲線。


  開關損耗-關斷部分

  先看理想的IGBT關斷波形:


如何手動計算IGBT的損耗


  電流線性方程,分別找到電流開關波形中的兩個坐標(0,Ic) 和 (Δt_off, 0) , 那么電流線性方程:


如何手動計算IGBT的損耗


  電壓線性方程,同樣找到電壓波形中的兩個坐標(0,0), (Δt_off,Vce), 那么電壓線性方程:


如何手動計算IGBT的損耗


  根據(jù)損耗計算的定義:


如何手動計算IGBT的損耗


  實際的關斷波形:


如何手動計算IGBT的損耗


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