隨著高端測試儀器和仿真軟件的普及,大部分的損耗計算都可以使用工具自動完成,節(jié)省了不少精力。今天詳細介紹一下IGBT損耗計算方法同時一起復習一下高等數(shù)學知識。
我們先來看一個IGBT的完整工作波形:
IGBT的損耗可以分為開關損耗和導通損耗,其中開關損耗又分為開通和關斷兩部分,下面我分別來看一下各部分的計算推導過程。
開關損耗-開通部分
我們先來看一下理想的IGBT開通波形:
我們需要先分別寫出電流和電壓的線性方程,先看電流線性方程:分別找到電流開關波形中的兩個坐標(0,0) 和 (Δt_on, Ic) , 那么電流線性方程:
電壓線性方程,同樣找到電壓波形中的兩個坐標(0,Vce), (Δt-on,0),那么電壓線性方程:
根據(jù)損耗計算的定義:
這樣開關損耗中的開通部分計算公式我們就推導完成了,那是不是我們有了計算公式就可以直接用了呢?我們先來看看實際的開通波形:
上圖是實測的IGBT開通波形,藍色是Vce波形,紅色是Ic波形??梢钥吹絀c在整個上升過程中還是比較線性的,但是Vce在跌落的時候斜率分成了幾段,這個時候我們推導的理想開關波形的損耗似乎就沒什么用了,那怎么辦呢?
其實雖然我們之前的推導結果不能直接用,但是推導過程我們還是可以借鑒的,我們可以把整個波形根據(jù)Vce 的斜率分成幾個部分來近似計算,如下圖所示,對應時間分別是Δt1, Δt2, Δt3。
我們先來計算Δt1部分的損耗:
如上圖,我們先找到電壓和電流波形與Δt1時間標注線的四個交點,標注為:
A(0,Vce1), B(Δt1,Vce2), C(0,0), D(Δt1,Ic1).
Δt1內的Vce表達式:
Δt1內的Ic表達式:
Δt1內的損耗表達式及推導:
從波形中可以讀出:
Vce1=260V, Vce2=220V, Ic1=20.3A, Δt1=70ns, 帶入上面公式可以得到:
我們用同樣的方法計算Δt2部分:
同樣先找到電壓和電流波形與Δt2時間標注線的四個交點:
E(0,Vce2), F(Δt2,Vce3), G(0,Ic1), H(Δt2,Ic2).
Δt2內的Vce表達式:
Δt2內的Ic表達式:
Δt2內的損耗表達式及推導:
從波形中可以讀出:
Vce3=50V, Vce2=220V,
Ic1=20.3A, Ic2=29.3A Δt2=40ns,帶入上面公式可以得到
最后是Δt3部分:
四個交點:
I(0,Vce3), J(Δt3,Vce3), K(0,Ic2), L(Δt3,Ic3).
Δt3內的Vce我們取近似常數(shù):
Δt3內的Ic表達式:
Δt3內的損耗表達式及推導:
從示波器中可以讀出:Vce3=40V, Ic2=29.3A, Ic3=19A Δt3=30ns, 帶入上面公式可以得到
這樣把三部分算好加起來就是開通的總損耗:
導通部分損耗計算
IGBT導通狀態(tài)下處于飽和狀態(tài),我們只需要對導通狀態(tài)下的飽和電壓Vce和電流Ic乘積積分就可以:
但是導通狀態(tài)下的Vce實際是和Ic關聯(lián)的,Vce會隨著Ic的變化而變化,我們直接拿下面的實際測試波形來舉例分析:
從波形上看,Ic在IGBT導通狀態(tài)下是線性上升的,對應的Vce應該也是線性增加的,但是因為實際測試中Vce有高壓狀態(tài)的原因,我們會選擇高壓差分探頭測試。當IGBT導通時Vce只有1-2V, 這時差分探頭對低壓部分的測試精度就成了問題,那么我們怎么近似的計算這部分導通損耗呢?
我們可以參考規(guī)格書中的Vce曲線:
實際測試波形電流在20A左右,所以我們把20A左右的曲線單獨放大取出來:
Vce表達式:
然后我們來看電流部分,首先我們在波形上取A,B兩點,導通時間Δt,如下:
兩個點坐標:A(0,Ic1), B(Δt,Ic2):
Δt內的Ic表達式:
Δt內的導通損耗表達式及推導:
從波形中可以讀出:Ic1=9.5A, Ic2=14A, Δt=14us,帶入上面公式可以得到
注:關于Vce-Ic曲線,規(guī)格書中通常會提供常溫(25度)和高溫(150度或者175度)兩種,為了貼近實際工作狀態(tài),建議選擇高溫曲線。
開關損耗-關斷部分
先看理想的IGBT關斷波形:
電流線性方程,分別找到電流開關波形中的兩個坐標(0,Ic) 和 (Δt_off, 0) , 那么電流線性方程:
電壓線性方程,同樣找到電壓波形中的兩個坐標(0,0), (Δt_off,Vce), 那么電壓線性方程:
根據(jù)損耗計算的定義:
實際的關斷波形: