h1_key

  盡管工業(yè)電源(包括數(shù)據(jù)中心)的形狀和尺寸各異，但是它們的共同之處是需要保持安全、高效和穩(wěn)定。由于工業(yè)電源需要在各種負(fù)載下，全天候保持高效率，因此80 PLUS認(rèn)證一經(jīng)推出就成為許多任務(wù)業(yè)電源的重要指標(biāo)。為了提高電源的效率，80 PLUS鈦金級電源的設(shè)計(jì)人員正在尋找650 V GaN FET，實(shí)現(xiàn)更小、更快、更涼、更輕的系統(tǒng)，同時(shí)降低總體系統(tǒng)成本。

  提高效率既是行業(yè)的關(guān)鍵性挑戰(zhàn)，也是創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)力。社會(huì)需求壓力、歐盟生態(tài)設(shè)計(jì)指令和能效標(biāo)簽法規(guī)都要求提高各類工業(yè)電源(PSU)的效率。在通信、服務(wù)器和工業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域中，功率轉(zhuǎn)換效率和功率密度至關(guān)重要。對于全天候高負(fù)荷系統(tǒng)的運(yùn)營公司，每提高一點(diǎn)效率都會(huì)對運(yùn)營成本產(chǎn)生重大影響。

  因此，盡管80 PLUS銅牌和金牌的效率通常足以滿足消費(fèi)類設(shè)備的需求，但80 PLUS鉑金牌PSU和鈦金牌電源帶來的額外效率改善，可以大幅降低功耗，從而節(jié)省可觀的電費(fèi)。除此之外，針對單路輸出電源和多路輸出電源的法規(guī)也要求進(jìn)一步提高效率。對單路輸出電源和多路輸出電源的要求是截止到2019年分別達(dá)到80 PLUS鉑金牌和80 PLUS金牌級別。到2023年，認(rèn)證級別還要提高，單路輸出電源必須達(dá)到80 PLUS鈦金牌級別，多路輸出電源必須達(dá)到80 PLUS鉑金牌級別，到2026年，單路輸出電源和多路輸出電源都必須達(dá)到80 PLUS鈦金牌級別。

  選用Nexperia GaN FET進(jìn)行轉(zhuǎn)換器效率優(yōu)化

  Nexperia GaN FET既能幫助電源制造商提高鈦金牌電源的效率和功率密度，還能提高成本效益。首要因素是更好的開關(guān)性能，因?yàn)檩^低的Qrr和快速的電流電壓轉(zhuǎn)換可以減少開關(guān)損耗并提高整體系統(tǒng)效率。其次是更好的系統(tǒng)效率，這有助于減少散熱的需求以及封閉環(huán)境中的相關(guān)運(yùn)行成本。此外，更小更輕的系統(tǒng)可以更加高效，從而增加設(shè)計(jì)的功率密度。

  我們的共源共柵技術(shù)是實(shí)現(xiàn)更高效率和更可靠電源設(shè)計(jì)的另一個(gè)原因。這意味著我們的GaN FET不需要復(fù)雜和專用的柵極驅(qū)動(dòng)器。實(shí)際上，憑借4 V的高閾值電壓和0至12 V的驅(qū)動(dòng)電壓，它們可以使用實(shí)惠的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)器。由于較低的Vsd在反向?qū)Ｊ较戮哂休^低的損耗，因此它們方便選用不同的死區(qū)時(shí)間設(shè)計(jì)和更高的工作頻率。 對于的工業(yè)應(yīng)用，具有+/-20V柵極耐壓和瞬態(tài)過壓能力，它們不易受柵極反彈和瞬態(tài)尖峰的影響，因此更加可靠。

  對于80 PLUS鈦金級電源的積極影響

  從電源應(yīng)用的角度來看，這意味著什么?Nexperia GaN FET可實(shí)現(xiàn)上述所有系統(tǒng)優(yōu)勢的兩種拓?fù)涫茿C-DC PFC和DC-DC LLC或相移全橋(PSFB)。

  在2-3 kW電源中使用無橋圖騰柱PFC，讓我們對比一下，Si和GaN差異。在采用有源整流橋并搭配Si交錯(cuò)拓?fù)涞男?，只能接近GaN圖騰柱。從電路圖中可以看出，使用GaN FET的圖騰柱架構(gòu)可大幅減器件數(shù)量(電感、二極管和MOSFET)，并且得益于設(shè)計(jì)的簡單性，還能減少磁材并使用更小的EMI濾波器。有望節(jié)省系統(tǒng)BoM高達(dá)30%，同時(shí)提高效率。

  參數(shù)交錯(cuò)式PFC無橋圖騰柱PFC

  效率98.5 %98.7 % to 99.1 %

  PFC的總成本+ 15-40%-

  在進(jìn)行DC-DC轉(zhuǎn)換時(shí)，GaN FET還可用于多種配置，包括LLC或

  相移全橋(PSFB)。較低的電流和較低的磁通擺幅有助于實(shí)現(xiàn)較低的磁損耗

  和更快的響應(yīng)速度。對于LLC設(shè)計(jì)，這意味著較低的RMS電流;而對于PSFB設(shè)計(jì)，這意味著在輕負(fù)載條件下具有更寬的ZVS范圍。

  Nexperia全新GaN器件

  當(dāng)然，正如我們從芯片MOSFET中了解到的，最大限度地提高效率的一種方法是降低RDS(on)。我們GaN產(chǎn)品組合推出的第一款設(shè)備是GAN063-650WSA，它是一款能夠滿足1-3 kW應(yīng)用的50 mOHm器件。與H1 GaN技術(shù)相比，我們新推出的H2 GaN技術(shù)帶來了多項(xiàng)改進(jìn)，包括優(yōu)化了動(dòng)態(tài)參數(shù)(Qoss/Coss)，從而提高了開關(guān)性能。所以我們基于H2的全新GAN041-650WSB具有僅35 mOhms的典型RDS(on)，可以用于功率更高的系統(tǒng)(通常功率在3 kW以上)。