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安世36 V電池隔離MOSFET
2023-02-21 559次

  使用36 V鋰離子電池供電的工具和室外電力設(shè)備變得日益常見。這類電池具有良好的功率和電池壽命搭配,同時(shí)相對(duì)輕便,易于使用。但由于能量密度比較高,因此它們需要高效的電池隔離。Nexperia的新型50/55 V專用MOSFET提供必要的安全工作區(qū)(SOA)和魯棒性,同時(shí)還提供顯著改進(jìn)的效率和很高的額定功率,外形尺寸為5*6 mm。


安世36 V電池隔離MOSFET


  使用電池供電的無(wú)繩工具和室外電力設(shè)備迅猛發(fā)展,推動(dòng)這種趨勢(shì)的關(guān)鍵因素之一是使用壽命持久的10芯36V鋰離子電池組的問(wèn)世。這些電池具有高能量密度,非常適合專業(yè)工具,也適合傳統(tǒng)有繩設(shè)備,甚至是發(fā)動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)的室外電力設(shè)備,例如電鋸和割草機(jī)。但是,由于能量密度升高,它們更加需要高效的電池隔離。

  為了確保任何大量放電都以受控的方式進(jìn)行,直至電池安全隔離和系統(tǒng)關(guān)閉電源,我們需要非常穩(wěn)定的高熱效率MOSFET。按照標(biāo)準(zhǔn)MOSFET電壓額定值,對(duì)于36 V電池,設(shè)計(jì)人員會(huì)使用60 V MOSFET。但是,對(duì)于36 V的標(biāo)稱額定值,使用50 V或55 V的MOSFET比較理想。減小MOSFET電壓額定值,可為優(yōu)化SOA、ID額定值和雪崩能力提供機(jī)會(huì),從而提高整體安全性和效率。


  維持安全工作區(qū)至關(guān)重要

  出現(xiàn)故障的情況下,當(dāng)故障導(dǎo)致深度放電時(shí),由于在高電流下電路電感兩端產(chǎn)生的電壓,PSMN1R5-50YLH電池隔離MOSFET通常會(huì)進(jìn)入線性模式。因此,維持穩(wěn)定的安全工作區(qū)至關(guān)重要。Nexperia的MOSFET技術(shù)提供了出色的安全工作區(qū)功能,利用50/55 V ASFET,我們優(yōu)化了1 ms至10 ms的放電性能。例如,這意味著,PSMN1R5-50YLH能夠在40 V電壓下處理高達(dá)5 A的放電,持續(xù)1 ms。


  優(yōu)化雪崩能力

  電池隔離MOSFET通常放置在遠(yuǎn)離負(fù)載的位置,可能遭受非鉗位電感尖峰(UIS)。通過(guò)優(yōu)化VDS電壓(50 V),使其更接近電池電壓(36 V),可幫助將耗散電能減少至少20%(與60 VDS器件相比),并且可以避免潛在的故障。鑒于典型應(yīng)用經(jīng)常在惡劣環(huán)境下運(yùn)行,雪崩事件可能很常見。Nexperia的PSMN1R5-50YLH具有2000 mJ(在25 A電流下)的單相雪崩額定值(EAS),能夠反復(fù)耐受此類事件。


  擴(kuò)展已經(jīng)成熟的產(chǎn)品組合

  隨著這些專用50/55 V ASFET的發(fā)布,Nexperia成為率先專門針對(duì)36 V電池系統(tǒng)提供50 V額定值MOSFET的公司之一。該產(chǎn)品在SOA、ID額定值和雪崩能力方面進(jìn)行了優(yōu)化,同時(shí)保持良好的導(dǎo)通電阻,為設(shè)計(jì)人員提供了非常穩(wěn)定的電池隔離解決方案。它提供業(yè)界領(lǐng)先的性能,直流電池額定值為200 A,計(jì)算的硅限制為312 A,外形尺寸為5*6 mm,并基于Nexperia的成熟電池隔離ASFET產(chǎn)品組合構(gòu)建。


安世36 V電池隔離MOSFET
  • 安世半導(dǎo)體IGBT模塊賦能馬達(dá)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用
  • Nexperia(安世半導(dǎo)體)的 IGBT 產(chǎn)品系列優(yōu)化了開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗, 兼顧馬達(dá)驅(qū)動(dòng)需求的高溫短路耐受能力,實(shí)現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性。
    2023-10-20 410次
  • 碳化硅二極管優(yōu)于硅二極管的8大原因
  • SiC的介電擊穿場(chǎng)強(qiáng)比硅基器件高出約10倍,且在給定的截止電壓下,SiC的漂移層比硅基器件更薄且摻雜濃度更高,因此SiC的電阻率更低,傳導(dǎo)性能也更好。這意味著,在額定電壓相同的情況下,SiC芯片比其等效的硅芯片更小。
    2023-08-02 464次
  • 安世半導(dǎo)體IGBTs高功率帶來(lái)更多選擇
  • 絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)面市已有些時(shí)日,事實(shí)上,通用電氣(GE)早在1983年6月就發(fā)布了其首款I(lǐng)GBT產(chǎn)品。從那時(shí)起,IGBT成為了中壓和高壓(>200 V )應(yīng)用的主要器件,包括供暖通風(fēng)與空氣調(diào)節(jié)(HVAC)系統(tǒng)以及電焊和感應(yīng)加熱等高電流應(yīng)用。隨著太陽(yáng)能面板、電動(dòng)汽車充電器和工業(yè)伺服電機(jī)的日益普及,市場(chǎng)對(duì)高壓解決方案的需求也在不斷攀升。為了滿足各個(gè)行業(yè)的需求,并進(jìn)一步完善持續(xù)擴(kuò)大的高壓技術(shù)產(chǎn)品組合(GaN和SiC),Nexperia (安世半導(dǎo)體)正在推出多個(gè) IGBT系列,首先便是600 V 器件。
    2023-07-21 382次
  • 為什么所有的SiC肖特基二極管都不一樣
  • 在高功率應(yīng)用中,碳化硅(SiC)的許多方面都優(yōu)于硅,包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關(guān)性能。但是,與硅快速恢復(fù)二極管相比,純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia(安世半導(dǎo)體)如何將先進(jìn)的器件結(jié)構(gòu)與創(chuàng)新工藝技術(shù)結(jié)合在一起,以進(jìn)一步提高 SiC 肖特基二極管的性能。
    2023-06-15 398次
  • 100BASE-T1/1000BASE-T1汽車以太網(wǎng)
  • 100BASE-T1和1000BASE-T1的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),汽車以太網(wǎng)用法靈活,并能顯著提高數(shù)據(jù)速率(與傳統(tǒng)的 CAN HS/FD 相比),因此能夠橋接各種復(fù)雜的通信域,如圖1所示。這一特性進(jìn)一步強(qiáng)化汽車以太網(wǎng)在未來(lái)車載數(shù)據(jù)通信架構(gòu)中的作用,而在未來(lái),ADAS、信息娛樂(lè)系統(tǒng)和動(dòng)力系統(tǒng)等關(guān)鍵應(yīng)用將在汽車領(lǐng)域內(nèi)顯著增長(zhǎng)。
    2023-04-27 1548次

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