不斷增加的開關(guān)電源功率密度，已經(jīng)受到了無源器件尺寸的限制。采用高頻運行，可以大大降低無源器件（如變壓器和濾波器）的尺寸，但過高的開關(guān)損耗勢必成為高頻運行的一大障礙。LLC拓撲能夠在初級端實現(xiàn)零電壓開關(guān)（ZVS），通常在次級端支持零電流開關(guān)（ZCS），在接近諧振頻率的情況下，能效將得以達到非常高的水平。因此在高頻功率變換領(lǐng)域得到廣泛的重視和研究。

在前不久的安森美(onsemi)全橋的LLC方案線上研討會中，Orson Chen先生詳細介紹了如何使用半橋LLC諧振式控制芯片完成全橋LLC諧振式轉(zhuǎn)換器的制作，分析了初級側(cè)功率晶體管的輸出寄生電容對全橋LLC諧振式轉(zhuǎn)換器的效率影響，并予以優(yōu)化。

全橋LLC諧振式轉(zhuǎn)換器的動作原理主要利用了LLC諧振式轉(zhuǎn)換器最大的一項特性：在全負載范圍下都可以達到零電壓切換(ZVS)狀態(tài)，能夠大大減少開關(guān)損耗。

而LLC轉(zhuǎn)換器中存在的輸出寄生電容會對轉(zhuǎn)換器的效率產(chǎn)生影響。死區(qū)時間過短將導致能量無法完全轉(zhuǎn)移完畢造成切換損耗，死區(qū)時間過長又將導致多于能量流經(jīng)本體二極管造成導通損耗。