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  瑞薩與Transphorm宣布雙方已達(dá)成最終協(xié)議，根據(jù)該協(xié)議，瑞薩子公司將以每股5.10美元現(xiàn)金收購Transphorm所有已發(fā)行普通股，較Transphorm在2024年1月10日的收盤價(jià)溢價(jià)約35%，較過去十二個(gè)月的成交量加權(quán)平均價(jià)格溢價(jià)約56%，較過去六個(gè)月的成交量加權(quán)平均價(jià)格溢價(jià)約78%。此次交易對(duì)Transphorm的估值約為3.39億美元。此次收購將為瑞薩提供GaN(功率半導(dǎo)體的下一代關(guān)鍵材料)的內(nèi)部技術(shù)，從而擴(kuò)展其在電動(dòng)汽車、計(jì)算(數(shù)據(jù)中心、人工智能、基礎(chǔ)設(shè)施)、可再生能源、工業(yè)電源以及快速充電器/適配器等快速增長市場的業(yè)務(wù)范圍。

Transphorm CEO Primit Parikh博士及瑞薩CEO柴田英利

作為碳中和的基石，對(duì)高效電力系統(tǒng)的需求正在不斷增加。為了應(yīng)對(duì)這一趨勢，相關(guān)產(chǎn)業(yè)正在向以碳化硅(SiC)和GaN為代表的寬禁帶(WBG)材料過渡。這些先進(jìn)材料比傳統(tǒng)硅基器件具備更廣泛的電壓和開關(guān)頻率范圍。在此勢頭下，瑞薩已宣布建立一條內(nèi)部SiC生產(chǎn)線，并簽署了為期10年的SiC晶圓供應(yīng)協(xié)議。

  瑞薩現(xiàn)目標(biāo)是利用Transphorm在GaN方面的專業(yè)知識(shí)進(jìn)一步擴(kuò)展其WBG產(chǎn)品陣容。GaN是一種新興材料，可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率、更低的功率損耗和更小的外形尺寸。這些優(yōu)勢使客戶的系統(tǒng)具有更高效、更小、更輕的結(jié)構(gòu)以及更低的總體成本。也因此，根據(jù)行業(yè)研究，GaN的需求預(yù)計(jì)每年將增長50%以上。瑞薩將采用Transphorm的汽車級(jí)GaN技術(shù)來開發(fā)新的增強(qiáng)型電源解決方案，例如用于電動(dòng)汽車的X-in-1動(dòng)力總成解決方案，以及面向計(jì)算、能源、工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用的解決方案。