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新品上市|MDD82052那么小又那么大,原來(lái)是這顆MOS
2025-04-11 19次

在智能家電與電動(dòng)工具快速迭代的今天,高效能與小型化已成為產(chǎn)品設(shè)計(jì)的核心需求。MOSFET作為現(xiàn)代電子系統(tǒng)的核心功率開(kāi)關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、信號(hào)切換等領(lǐng)域。其性能直接影響系統(tǒng)的效率、功耗和可靠性。隨著便攜式設(shè)備、智能家居和工業(yè)自動(dòng)化對(duì)功率密度和能效的要求越來(lái)越高,工程師需要更高性能的MOSFET解決方案。



一、雙N溝道,為高效而生


MDD8205是一款20V雙N溝道MOS,采用SOT-23-6L封裝,在20V耐壓下實(shí)現(xiàn)極低導(dǎo)通電阻(RDS(on))與超快開(kāi)關(guān)速度。其專為嚴(yán)苛負(fù)載場(chǎng)景優(yōu)化,兼顧高電流承載與微型封裝,成為高效率、高可靠性設(shè)計(jì)的理想選擇。



二、四大核心優(yōu)勢(shì),賦能電機(jī)驅(qū)動(dòng)


1、高電流承載,動(dòng)力輸出更澎湃


N溝道設(shè)計(jì):支持5A持續(xù)電流與25A脈沖電流,輕松應(yīng)對(duì)電機(jī)啟停、電動(dòng)工具瞬間高負(fù)載,避免過(guò)熱降頻。


20V耐壓:穩(wěn)定適配各類低壓電池系統(tǒng),保障設(shè)備長(zhǎng)時(shí)間高強(qiáng)度運(yùn)行。


2、超低導(dǎo)通損耗,續(xù)航與效率雙提升


RDS(on)低至22mΩ(Vgs=4.5V):相比傳統(tǒng)MOSFET,功耗降低30%以上,顯著延長(zhǎng)如掃地機(jī)器人、手持吸塵器等設(shè)備的電池續(xù)航。


低柵極電荷(Qg=10nC):減少開(kāi)關(guān)損耗,高頻工況下效率提升20%,適合DC-DC轉(zhuǎn)換器等高動(dòng)態(tài)場(chǎng)景。


3、微型封裝,高密度設(shè)計(jì)更靈活


SOT-23-6L封裝:節(jié)省70%PCB空間,完美適配緊湊電路板、電動(dòng)工具微型驅(qū)動(dòng)模組設(shè)計(jì),助力產(chǎn)品輕量化與成本優(yōu)化。


4、寬溫運(yùn)行,無(wú)懼嚴(yán)苛環(huán)境


-55℃~150℃工作范圍:從極寒戶外到高溫工業(yè)場(chǎng)景,保障掃地機(jī)器人、電動(dòng)工具在惡劣環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行,故障率降低50%。


三、開(kāi)關(guān)時(shí)間測(cè)試電路和波形




四、應(yīng)用場(chǎng)景:讓智能設(shè)備“動(dòng)力十足”


1.便攜式設(shè)備負(fù)載開(kāi)關(guān)


MDD8205適用于智能手機(jī)、TWS耳機(jī)等電池供電設(shè)備,低RDS(on)延長(zhǎng)續(xù)航。
SOT-23-6L封裝節(jié)省空間,助力超薄設(shè)計(jì)。


2.DC-DC轉(zhuǎn)換器


快速開(kāi)關(guān)特性提升Buck/Boost轉(zhuǎn)換效率,適用于POL(點(diǎn)負(fù)載)電源設(shè)計(jì)。
雙管并聯(lián)支持更高電流輸出,適用于FPGA、ASIC供電。


3.電機(jī)驅(qū)動(dòng)(掃地機(jī)器人、電動(dòng)工具)


5A持續(xù)電流支持高扭矩電機(jī)控制。


低開(kāi)關(guān)損耗優(yōu)化PWM驅(qū)動(dòng)效率,減少發(fā)熱。


4.LCD顯示逆變器


寬溫工作范圍確保背光驅(qū)動(dòng)穩(wěn)定性。


優(yōu)化的柵極電荷(Qg)適合高頻PWM調(diào)光。


無(wú)論是追求極致能效的智能家電,還是需要可靠動(dòng)力的工業(yè)設(shè)備,MDD8205以大承載、小體積、低損耗、強(qiáng)耐候的四大特性,助力電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域發(fā)展。

  • 新品上市|MDD82052那么小又那么大,原來(lái)是這顆MOS
  • MDD8205是一款20V雙N溝道MOS,采用SOT-23-6L封裝,在20V耐壓下實(shí)現(xiàn)極低導(dǎo)通電阻(RDS(on))與超快開(kāi)關(guān)速度。其專為嚴(yán)苛負(fù)載場(chǎng)景優(yōu)化,兼顧高電流承載與微型封裝,成為高效率、高可靠性設(shè)計(jì)的理想選擇。
    2025-04-11 21次
  • MDD辰達(dá)推出大電流低內(nèi)阻MOS,助力電機(jī)驅(qū)動(dòng)管理系統(tǒng)新突破
  • MDD100N03D的最大亮點(diǎn)在于其極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on))。在VGS = 10 V、ID = 30 A的條件下,RDS(on)僅為3.6mΩ,這意味著在電流通過(guò)時(shí),能量損耗被降至最低,尤其在高頻開(kāi)關(guān)場(chǎng)景中(如直流/直流轉(zhuǎn)換),可顯著減少發(fā)熱,提升系統(tǒng)整體效率。
    2025-03-12 48次

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