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兆易創(chuàng)新推出1.2V超低功耗SPI NOR Flash—GD25UF系列
2022-08-29 591次



   兆易創(chuàng)新宣布,推出突破性的1.2V超低功耗SPI NOR Flash產(chǎn)品——GD25UF系列。該系列在數(shù)據(jù)傳輸速度、供電電壓、讀寫功耗等關(guān)鍵性能指標上均達到國際領(lǐng)先水平,在針對智能可穿戴設(shè)備、健康監(jiān)測、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備或其它單電池供電的應(yīng)用中,能顯著降低運行功耗,有效延長設(shè)備的續(xù)航時間。

 

 

 

   隨著物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的發(fā)展,新一代智能可穿戴設(shè)備需要擁有更豐富的功能來滿足消費者的需求,這種空間敏感型產(chǎn)品對系統(tǒng)功耗提出了更嚴苛的要求,希望進一步提升產(chǎn)品的續(xù)航能力。

 

   從系統(tǒng)設(shè)計層面來看,一些先進工藝器件的工作電壓已低至1.2V,如果所需的Flash可支持1.2V的電壓操作,這對于主控而言,將能夠有效簡化電源設(shè)計并優(yōu)化系統(tǒng)成本。

 

   應(yīng)此需求,兆易創(chuàng)新推出了GD25UF產(chǎn)品系列,該系列工作電壓可擴展至1.14~1.6V,具有單通道、雙通道、四通道、和DTR四通道的SPI模式,支持不同容量選擇,能夠滿足智能設(shè)備所需的代碼存儲要求。


 

在讀寫性能方面

   GD25UF最高時鐘頻率STR 120MHz,DTR 60MHz,擁有10萬次的擦寫壽命,數(shù)據(jù)有效保存期限可達20年。

在安全性方面

   該產(chǎn)品具有128bit Unique ID來實現(xiàn)加密效果,為應(yīng)用帶來高安全保障。

 

   同時,為進一步滿足低功耗的需求,GD25UF產(chǎn)品系列特別提供了Normal Mode和Low Power Mode兩種工作模式。在Normal Mode下,器件讀取電流在四通道120MHz的頻率下低至6mA;在Low Power Mode下,器件讀取電流在四通道1MHz頻率下低至0.5mA,擦寫電流低至7mA,睡眠功耗低至0.1uA。

 

   相比于1.8V供電的SPI NOR Flash,1.2V GD25UF系列在Normal Mode下,相同電流情況下的功耗降低了33%,而在Low Power Mode下,相同頻率下的功耗降低了70%,有效延長了設(shè)備的續(xù)航時間。

 

   另外GD25UF系列產(chǎn)品的供電電壓支持1.14~1.6V的寬電壓范圍,可顯著延長單電池供電應(yīng)用的使用壽命。并且該系列產(chǎn)品支持SOP8、WSON8、USON8、WLCSP封裝,全溫度工作范圍覆蓋-40℃~85℃、-40℃~105℃、-40℃~125℃。

 

兆易創(chuàng)新存儲器事業(yè)部執(zhí)行總監(jiān)陳暉先生表示:

   “GD25UF系列產(chǎn)品進一步豐富了兆易創(chuàng)新的Flash Memory產(chǎn)品線。其具備的1.2V低電壓和超低功耗模式可以幫助小容量電池供電設(shè)備提高續(xù)航能力,即使在不可避免的電池衰減過程中,也可以保持出色且穩(wěn)定的運行狀態(tài),增加應(yīng)用的可靠性。如今,電池續(xù)航能力已經(jīng)成為消費者選購產(chǎn)品的重要指標,GD25UF系列產(chǎn)品的問世會是下一代可穿戴設(shè)備的理想選擇。作為國內(nèi)外鮮少擁有1.2V SPI NOR Flash產(chǎn)品線的企業(yè),兆易創(chuàng)新走在了需求前端,為下一代應(yīng)用的設(shè)計開發(fā)緩解了壓力,從一定程度上縮短了客戶的研發(fā)成本,讓他們能夠在日益激烈的市場競爭中保持領(lǐng)先地位。”

 

   目前,兆易創(chuàng)新GD25UF系列可提供64Mb容量樣品,更多容量產(chǎn)品將陸續(xù)推出,客戶可聯(lián)絡(luò)銷售代表或授權(quán)代理商了解相關(guān)的信息。

 

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