h1_key

  可靠的高性能雷達模塊是改善自動駕駛輔助系統(tǒng)和實現(xiàn)未來自動駕駛的關(guān)鍵。汽車需要攜帶更多、更高性能的雷達模塊來實現(xiàn)許多新功能，如高級自動緊急制動系統(tǒng)，快速行動過馬路的摩托車手(AEB)等等。目前，歐盟新車安全評估協(xié)會(NCAP)正在進行的一系列項目和立法是促進雷達模塊市場增長的重要驅(qū)動力之一。

  英飛凌科技在雷達模塊市場領(lǐng)先15年以上，是雷達單片微波集成電路(MMIC)TOP1制造商。英飛凌開辟了收發(fā)器集成(將發(fā)射器和接收器集成到同一芯片中)的先例，并于2009年推出了世界上第一款基于硅鍺的產(chǎn)品(SiGe)技術(shù)的77GHz車配mm波雷達芯片。此外，英飛凌還擁有廣泛的產(chǎn)品組合，可涵蓋從短距離雷達(角雷達)到高端前向雷達的完整產(chǎn)品細分市場。

  近日，英飛凌發(fā)布了新一代創(chuàng)新雷達RASIC?CTRX8181收發(fā)器，這也是選擇28納米CMOS新76的科研開發(fā)GHz至81GHz雷達MMIC該系列的第一個產(chǎn)品。該產(chǎn)品具有更高的信噪比和線性，可以提高系統(tǒng)性能和設(shè)計靈活性。同時，雷達收發(fā)器使用方便，可為角雷達、前雷達、短距離雷達等不同傳感器提供可擴展渠道，為新軟件定義的汽車架構(gòu)帶來靈活性?？蛻艨梢允褂眠@個雷達收發(fā)器以更低的成本開發(fā)77GHz車配mm波雷達的應用。

  英飛凌科技汽車電子事業(yè)部雷達MMIC產(chǎn)品營銷總監(jiān)Tomas Lucia表示：“新一代CTRX8181收發(fā)器能夠準確地對物體進行分類和檢測，這是保護摩托車手、騎行者或行人等道路安全弱勢群體所必需的功能。此外，這款產(chǎn)品還提升了射頻性能，可助力部署所有SAE級別的(最高可達L4級)可靠輔助駕駛和自動駕駛功能?！?/span>

  CTRX8181是英飛凌基于最新ISO26262功能安全標準所開發(fā)出的新產(chǎn)品，帶有4個發(fā)射通道和4個接收通道。該器件具有出色的信噪比(SNR)，并且將標準模塊的感應范圍擴大了25%(例如從250米增加到300多米)。憑借更多的射頻通道數(shù)與更高的線性度，該產(chǎn)品的垂直分辨率和角度分辨率提高了33%，能夠更好地對不同的物體進行分類，例如準確識別出汽車旁邊的行人等?？蛻艨苫谠摦a(chǎn)品的以上特性開發(fā)適用于所有應用的雷達模塊(從角雷達到高分辨率雷達等)。

  片內(nèi)數(shù)字鎖相環(huán)(PLL)支持頻率斜坡的快速穩(wěn)定，可獲得更高的距離分辨率和超快的回掃時間，與市面上最好的解決方案相比響應速度提高了4倍。這一新特性不僅降低了功耗，而且對速度相近的物體可以依據(jù)速度進行更準確的分類。片內(nèi)數(shù)字鎖相環(huán)可以在不影響相位噪聲的前提下實現(xiàn)完全可靈活調(diào)制的頻率斜坡，從而使雷達在各類應用場景中穩(wěn)定可靠，因此適用于電子羅盤等頻率干擾比較大的方案。

  全新CTRX產(chǎn)品系列與英飛凌AURIX?微控制器(MCU)TC3x以及即將推出的TC4x雷達專用產(chǎn)品可謂珠聯(lián)璧合。TC3x和 TC4x均集成了信號處理單元(SPU)和用于片上程序代碼存儲的非易失性存儲器。與AURIX?芯片組搭配使用，能夠讓CTRX在未來的NCAP(新車碰撞測試)和實際路況中發(fā)揮出最佳的性能，例如在惡劣天氣條件下提高雷達的可靠性。

  通過系統(tǒng)分區(qū)，廠商能夠靈活地提供具有完整雷達處理能力的傳統(tǒng)解決方案，也可以采用不同的架構(gòu)，比如通過100 Mbit/s或 1 Gbit/s 以太網(wǎng)以極低功耗實現(xiàn)數(shù)據(jù)流預處理。系統(tǒng)分區(qū)還支持為目標應用選擇合適的MMIC和微控制器，以便輕松實現(xiàn)擴展以滿足各種成本和性能要求。通過LVDS或CSI-2建立與MCU的連接，可幫助廠商更加靈活地組合器件。

  英飛凌推出950 V CoolMOS? PFD7系列

  內(nèi)置集成的快速體二極管，可滿足大功率照明系統(tǒng)和工業(yè)SMPS應用的需求

  為了滿足當今市場對產(chǎn)品小型化、高能效的需求，英飛凌科技推出了全新的CoolMOS? PFD7高壓MOSFET系列，為950V 超結(jié)(SJ)技術(shù)樹立了新的行業(yè)標準。全新950V系列具有出色的性能和易用性，采用集成的快速體二極管，可確保器件的穩(wěn)健性，同時降低了BOM(材料清單)成本。該產(chǎn)品專為超高功率密度和超高效率的產(chǎn)品設(shè)計量身打造，主要用于照明系統(tǒng)以及消費和工業(yè)領(lǐng)域的開關(guān)電源(SMPS)應用。

  新產(chǎn)品系列適用于反激式、PFC和LLC/LCC設(shè)計，包括使電源換向變得穩(wěn)定而可靠的半橋或全橋配置。通過集成具有超低反向恢復電荷(Qrr)的超快速體二極管，該系列產(chǎn)品實現(xiàn)了硬換向的穩(wěn)健性和可靠性，并成為該電壓級別中更穩(wěn)健的超結(jié) MOSFET，可適用于目標應用中的所有拓撲結(jié)構(gòu)。此外，開關(guān)損耗(EOSS、QOSS和Qg)的大幅降低也提高了硬開關(guān)和軟開關(guān)應用的使用效率，與900V CoolMOS C3?超結(jié)MOSFET相比，MOSFET溫度最高可降低4開爾文。相較以前，新產(chǎn)品更為綠色環(huán)保，其輕載和滿載PFC效率提高了0.2%以上，同時可滿足LLC效率要求。

  新產(chǎn)品系列降低了各種采用SMD封裝和THD封裝的器件的導通電阻(RDS(on))值，最高可降低55%，例如DPAK封裝中器件的導通電阻值為450 mΩ或TO247封裝中器件的導通電阻值為60 mΩ。設(shè)計人員可通過減小封裝尺寸、大幅提高功率密度并節(jié)省電路板空間，降低BOM成本和生產(chǎn)成本。其柵極-源極閾值電壓(V(GS),th)為3V，V(GS),th最低變化范圍為±0.5V，可方便新器件的設(shè)計導入和驅(qū)動，提高了設(shè)計自由度;利用低閾值電壓和容差可避免使用MOSFET線性模式，降低了驅(qū)動電壓和閑置損耗。另外，與CoolMOS C3相比，新產(chǎn)品系列的柵極電荷改善了60%，大大降低了驅(qū)動損耗，而且能夠達到人體放電模型(HBM)(2級靜電放電敏感度)標準，保證了靜電放電(ESD)的穩(wěn)健性，進而減少了與ESD有關(guān)的設(shè)備故障，提高了產(chǎn)量。