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  目前約有8000座數(shù)據(jù)中心正在對(duì)這一巨大的數(shù)據(jù)量進(jìn)行處理、存儲(chǔ)和連接。對(duì)這些數(shù)據(jù)中心而言，除性能與安全之外，能效的優(yōu)化對(duì)其保持盈利能力和實(shí)現(xiàn)可持續(xù)性也同樣至關(guān)重要。

  云、人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí)、存儲(chǔ)和5G/邊緣整體IT方案供應(yīng)商美超微電腦股份有限公司與英飛凌科技股份公司展開(kāi)協(xié)作，利用英飛凌的高效率功率級(jí)半導(dǎo)體產(chǎn)品，以滿足以上要求并實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)中心的低碳化。美超微服務(wù)器技術(shù)副總裁Manhtien Phan表示：“在開(kāi)發(fā)綠色計(jì)算平臺(tái)時(shí)，我們會(huì)著重選擇與自身同樣重視通過(guò)優(yōu)化能效以減少耗電量的廠商。美超微的解決方案與英飛凌的技術(shù)結(jié)合，可減少系統(tǒng)功耗，降低數(shù)據(jù)中心的總體耗電量，最大程度地減少對(duì)環(huán)境的影響?！?/span>

  英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部總裁Adam White表示：“冷卻系統(tǒng)的能耗占據(jù)了數(shù)據(jù)中心總體能耗的很大一部分。英飛凌的TDA21490和TDA21535節(jié)能型功率半導(dǎo)體產(chǎn)品十分適用于減少數(shù)據(jù)中心的散熱問(wèn)題。這類半導(dǎo)體產(chǎn)品可耐高溫并具備出色的可靠性，可助力服務(wù)器依靠自然空氣冷卻。使用這類半導(dǎo)體產(chǎn)品能幫助客戶進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)中心的電能效用，實(shí)現(xiàn)更高的能源利用效率。”

  英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部總裁Adam White

  電源使用效率(PUE)的計(jì)算方式是將輸送到數(shù)據(jù)中心的總功率除以IT設(shè)備實(shí)際消耗的功率。理想的PUE值是1.0，即數(shù)據(jù)中心的全部電能都用于實(shí)際的計(jì)算設(shè)備中，而不是用于冷卻或電力轉(zhuǎn)換等間接設(shè)備。最新的研究表明，IT和數(shù)據(jù)中心經(jīng)理均表示其最大的數(shù)據(jù)中心的年平均PUE值為1.57，這項(xiàng)數(shù)據(jù)表明，面對(duì)超出預(yù)算的冷卻和電力成本，PUE仍有改進(jìn)的空間，同時(shí)二氧化碳排放量有望進(jìn)一步降低。

  美超微的綠色計(jì)算平臺(tái)可顯著改善PUE。具體而言，美超微MicroBlade®系列可為各種類型的處理器提供最佳的服務(wù)器密度，最多可在6U尺寸內(nèi)集成112個(gè)單路Atom®節(jié)點(diǎn)、56個(gè)單路Xeon®節(jié)點(diǎn)以及28個(gè)雙路Xeon®節(jié)點(diǎn)，因此可以輕松進(jìn)行大規(guī)模部署，并通過(guò)自然空氣冷卻、電池備份電源(BBP®)等數(shù)據(jù)中心友好型功能和設(shè)計(jì)進(jìn)行批量配置。與標(biāo)準(zhǔn)的1U機(jī)架式服務(wù)器相比，MicroBlade最高可提升86%的功率效率與56%的服務(wù)器密度。

  MicroBlade 6U

  MicroBlade服務(wù)器采用英飛凌的OptiMOS?集成式功率級(jí)半導(dǎo)體TDA2149和TDA21535。TDA21490可助力服務(wù)器、存儲(chǔ)器、人工智能和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中的高性能xPU、ASIC和系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健、可靠的穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)。TDA21490 采用高熱效封裝的 OptiMOS? 功率 MOSFET，具有同類產(chǎn)品中最佳的效率。低靜態(tài)電流驅(qū)動(dòng)器可啟用深睡眠模式，進(jìn)一步提高輕載效率，還可以提供精準(zhǔn)的電流感測(cè)，有助于大幅提升系統(tǒng)性能。除了強(qiáng)大的OptiMOS? MOSFET技術(shù)外，TDA21490的綜合故障保護(hù)功能可進(jìn)一步增強(qiáng)其所在系統(tǒng)的穩(wěn)定性與可靠性。

  英飛凌OptiMOS?集成式功率級(jí)半導(dǎo)體TDA21490

  TDA21535同時(shí)封裝了低靜態(tài)電流的同步降壓柵級(jí)驅(qū)動(dòng)IC與高邊、低邊MOSFET，并采用有源二極管結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了類似肖特基勢(shì)壘二極管的體二極管正向電壓(Vsd)低值，反向恢復(fù)電荷極少。與前沿的、基于控制器的感應(yīng)直流電阻測(cè)量方法相比，TDA21535中帶有溫度補(bǔ)償?shù)膬?nèi)部MOSFET電流測(cè)量算法具有較高的電流測(cè)量精度。在高達(dá)1.5兆赫茲的開(kāi)關(guān)頻率下運(yùn)行，該產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn)高性能的瞬態(tài)響應(yīng)，并且能夠在保持效率領(lǐng)先的同時(shí)減少電感和電容。

  英飛凌OptiMOS?集成式功率級(jí)半導(dǎo)體TDA21535