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美光出貨232層NAND?堆疊層數(shù),3DNAND的技術(shù)邊界
2022-11-21 599次




  高性能

  美光232層NAND具有璀璨業(yè)界的NAND輸入/輸出(I/O)速度(每秒2.4GB),可滿足低延遲和高吞吐量的需求,適用于人工智能、非結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)庫、實時分析與云計算等數(shù)據(jù)密集型工作負載。


  數(shù)據(jù)密度

  美光232層高密度NAND便于客戶進行靈活設(shè)計,實現(xiàn)了每平方毫米高達14.6Gb的TLC密度。面密度比當(dāng)今市場上的TLC競品高35%到100%。


 無處不在的應(yīng)用

  更大的存儲容量—增加堆疊層數(shù)以提高存儲容量至每裸片1Tb,每封裝2TB—從智能邊緣到云計算,美光232層 NAND為更多設(shè)備提供更大存儲,以幫助實現(xiàn)更智能,功能更強大的設(shè)備。



  為新一波端到端技術(shù)創(chuàng)新浪潮奠定基礎(chǔ)

  從大規(guī)模數(shù)據(jù)中心到小型設(shè)備,NAND能夠滿足不斷發(fā)展的對高性能、即時響應(yīng)存儲的需求。美光下一代232層NAND拓展了其NAND技術(shù)優(yōu)勢,能夠提供更快、更高容量的存儲解決方案。


  擴展技術(shù)邊界:

  NAND堆疊層數(shù)提升至232層




  2020年,美光發(fā)布了?176層3DNAND,確立成為NAND技術(shù)領(lǐng)域前沿廠商。如今憑借下一代232層NAND技術(shù)實現(xiàn)應(yīng)用與進入市場,我們進一步鞏固了自身的技術(shù)優(yōu)勢。

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