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 MICRON(鎂光)近日宣布出貨適用于數(shù)據(jù)中心，已通過AMD全新EPYC?(霄龍)9004系列Cpu驗證的DDR5內(nèi)存。隨著現(xiàn)代服務(wù)器配置更多的核心處理CPU，其單個CPU核心的內(nèi)存帶寬正在下降。為了緩解這一瓶頸，美光DDR5提供比前幾代商品更高的帶寬，從而提高穩(wěn)定性和可擴(kuò)展性。第四代。AMDEPYCCpu與美光DDR5強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，使內(nèi)存帶寬在STREAM基準(zhǔn)測試翻倍，在特定的高性能計算中翻倍(HPC)性能在工作負(fù)荷中提高2倍，如計算流體力學(xué)(OpenFOAM)，天氣研究與預(yù)報(WRF)建模和CP2K分子動力學(xué)。

  美光高級副總裁兼計算及網(wǎng)絡(luò)事業(yè)部總經(jīng)理 Raj Hazra 表示：“美光不斷推動行業(yè)轉(zhuǎn)型DDR5市場。今天的算法越來越依賴于內(nèi)存，它們需要更高的內(nèi)存性能和可靠性來洞察大量的數(shù)據(jù)。DDR大大提高了支持這些算法所需的系統(tǒng)內(nèi)存能力，進(jìn)而不斷提高下一代數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施的價值?！?/span>

  AMD EPYC 產(chǎn)品管理企業(yè)副總裁 Ram Peddibhotla 表示：“第四代 AMD EPYC 處理器不僅能持續(xù)提高現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載的性能標(biāo)準(zhǔn)，同時還能提供卓越的能效。它將改變客戶運(yùn)營數(shù)據(jù)中心的模式 —— 加快價值實現(xiàn)的時間，降低總體擁有成本，幫助企業(yè)實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展目標(biāo)?！?/span>

  在 STREAM 基準(zhǔn)性能測試中，美光將第四代AMD EPYC 處理器系統(tǒng)搭配美光 DDR5(4800 MT/s)組合與第三代 AMD EPYC 處理器系統(tǒng)和美光 DDR4(3200 MT/s)組合進(jìn)行了對比。在第四代 AMD EPYC 處理器系統(tǒng)加持下，美光 DDR5 實現(xiàn)了每插槽 378 GB/s 的峰值內(nèi)存帶寬，而搭配第三代 AMD EPYC 處理器系統(tǒng)的 DDR4 峰值內(nèi)存帶寬僅為 189 GB/s。測試顯示系統(tǒng)內(nèi)存帶寬提升了兩倍。

  美光攜手 AMD 評估了第三代 AMD EPYC 處理器搭配美光 DDR4 組合對比第四代 AMD EPYC 處理器搭配美光 DDR5 組合在三種高性能計算工作負(fù)載(OpenFOAM、WRF和CP2K)中的表現(xiàn)。第四代 AMD EPYC 處理器平臺搭配美光 DDR5 組合將 OpenFOAM 性能提高了 2.4 倍，WRF 性能提高了 2.1 倍，CP2K 性能提高了 2.03 倍。

  聯(lián)想基礎(chǔ)設(shè)施解決方案集團(tuán)高性能計算與人工智能業(yè)務(wù)副總裁ScottTease表示：“隨著高性能計算和人工智能中建模和模擬以及機(jī)器學(xué)習(xí)負(fù)荷的持續(xù)增長，客戶要求內(nèi)存解決方案可以最大限度地提高有效帶寬。在整個開發(fā)驗證階段，我們與美光密切合作，致力于滿足性能密集型工作負(fù)荷的需要。DDR加快內(nèi)存性能進(jìn)入新時代，幫助我們交付下一代平臺?！?/span>