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  介紹

  瑞薩Virtual EEPROM模塊簡稱VEE模塊，該VEE模塊模擬基本的EEPROM功能，支持讀和寫操作兩種常見的數(shù)據(jù)操作。在應(yīng)用程序的整個生命周期內(nèi)，保留存儲扇區(qū)的擦除計數(shù)，擦除計數(shù)可以隨時訪問。驅(qū)動函數(shù)會自動做磨損均衡處理，延長Flash的使用壽命。

  主要內(nèi)容

  以開發(fā)板EK-RA2E2為例，使用VEE模塊存取數(shù)據(jù)：

  1、創(chuàng)建新工程

  2、工程創(chuàng)建完成后，通過FSP配置Virtual EEPROM

  2.1 添加Virtual EEPROM Stack

  選擇配置標(biāo)簽頁 Stack → New Stack → Storage → Virtual EEPROM on Flash(rm_vee_flash)

  2.2 配置Virtual EEPROM Stack

  在生成的Stack框圖中，點擊 Virtual EEPROM on Flash(rm_vee_flash)，可以看到e2 studio左下角出現(xiàn)屬性欄，按照如圖所示配置。

  2.3 配置g_flash0 flash(r_flash_lp)

  點擊框圖中g(shù)_flash0 flash(r_flash_lp)，并按下圖所示，設(shè)置Flash Ready Interrupt Priority。此處工程設(shè)置為Priority 1，可根據(jù)實際需要調(diào)整。

  按照上面步驟配置配置完成后，點擊FSP就會生成工程Virtual EEPROM以及相關(guān)的初始化代碼。

  3、編寫示例代碼，驗證Virtual EEPROM功能。

  在工程中打開scr/hal_entry.c文件，void hal_entry(void) 函數(shù)由main函數(shù)調(diào)用，我們自己的代碼由hal_entry調(diào)用，這樣做符合瑞薩軟件的架構(gòu)，方便以后使用RTOS。

  在hal_entry.c文件中添加下面的代碼

  然后在hal_entry函數(shù)調(diào)用上面的rm_vee_example函數(shù)

  接下來就可以編譯調(diào)試程序，當(dāng)程序正常運行起來之后，就可以看到綠色LED燈亮起，說明存到Flash中的數(shù)據(jù)再讀取出來，經(jīng)過對比確認(rèn)數(shù)據(jù)正確。也可以在調(diào)試狀態(tài)下，將全局變量添加到觀察窗口，單步調(diào)試，觀察數(shù)據(jù)的變化。

  程序運行前

  程序運行起來之后

  可以看到右側(cè)相關(guān)變量的數(shù)值已經(jīng)有改變

  在后面附加了如何在調(diào)試過程中觀察全局變量數(shù)值變化。

  *附：觀察全局變量的方式

  選中要觀察的數(shù)據(jù)名稱，右擊，選擇添加監(jiān)看表達(dá)式

    

  可以在調(diào)試界面看到相關(guān)表達(dá)式的值，隨著程序運行，可以在這里觀察數(shù)值的變化。

  結(jié)論

  使用VEE模塊，可以方便地使用Flash存取數(shù)據(jù)。不再需要自己去考慮數(shù)據(jù)存儲的位置以及磨損均衡等問題，可以把精力專注于實現(xiàn)功能上。