意法半導(dǎo)體ST和創(chuàng)新半導(dǎo)體材料設(shè)計制造公司Soitec 宣布了下一階段的碳化硅 (SiC)襯底合作計劃,由意法半導(dǎo)體在今后18個月內(nèi)完成對Soitec碳化硅襯底技術(shù)的產(chǎn)前認證測試。此次合作的目標(biāo)是意法半導(dǎo)體采用 Soitec 的 SmartSiC? 技術(shù)制造未來的8寸碳化硅襯底,促進公司的碳化硅器件和模塊制造業(yè)務(wù),并在中期實現(xiàn)量產(chǎn)。
●雙方同意對Soitec技術(shù)進行產(chǎn)前驗證, 以面向未來的8寸碳化硅襯底制造
●提供關(guān)鍵半導(dǎo)體賦能技術(shù),支持汽車電動化和工業(yè)系統(tǒng)能效提升等轉(zhuǎn)型目標(biāo)
意法半導(dǎo)體汽車和分立器件產(chǎn)品部總裁 Marco Monti表示:“汽車和工業(yè)客戶正在加快推進系統(tǒng)和產(chǎn)品的電動化,升級到8寸 SiC 晶圓將為他們帶來巨大好處,因為產(chǎn)品產(chǎn)量提高對于推動規(guī)模經(jīng)濟非常重要。ST選擇了一種垂直整合的制造模式,從高質(zhì)量的襯底,到大規(guī)模的前工序制造和后工序封測,在整個制造鏈中充分利用我們多年積累的專業(yè)技術(shù)專長。我們希望通過與 Soitec 技術(shù)的合作,不斷提高良率和質(zhì)量?!?/span>
“隨著電動汽車的到來,汽車行業(yè)正面臨巨變。Soitec通過尖端的 SmartSiC? 技術(shù),將獨特的 SmartCut? 工藝用于碳化硅半導(dǎo)體材料,將在推進電動汽車普及方面發(fā)揮關(guān)鍵作用。” Soitec 首席運營官 Bernard Aspar 表示:“將Soitec 的 SmartSiC? 襯底與ST行業(yè)率先的碳化硅技術(shù)和專長整合,將改變汽車芯片制造的游戲規(guī)則,并樹立新的標(biāo)準?!?/span>
碳化硅 (SiC) 是一種顛覆性的化合物半導(dǎo)體材料,在電動汽車和工業(yè)制程領(lǐng)域重要的高增長功率應(yīng)用中,碳化硅材料的固有性質(zhì)令碳化硅器件的性能和能效優(yōu)于硅基半導(dǎo)體。碳化硅可以實現(xiàn)更高效的電源轉(zhuǎn)換、更緊湊的輕量化設(shè)計,并節(jié)省整體系統(tǒng)設(shè)計成本——所有這些都是汽車和工業(yè)系統(tǒng)成功的關(guān)鍵參數(shù)和要素。從 6寸 晶圓升級到 8寸 晶圓,可以使制造集成電路的可用面積增加幾乎一倍,每個晶圓上的有效出片量達到升級前的1.8-1.9 倍,因此大幅增加產(chǎn)能。
SmartSiC? 是 Soitec 的專有技術(shù),基于Soitec 專有的 SmartCut? 技術(shù),從高質(zhì)量碳化硅供體晶圓上切下一個薄層,將其粘合到待處理的低電阻多晶硅晶圓片表面。如此加工后的襯底可有效提高芯片的性能和制造良率。此外,優(yōu)質(zhì)的碳化硅供體晶圓可以多次重復(fù)使用,因此可以大幅降低供體加工的總能耗。