ON(安森美)宣布將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”,安森美EliteSiC 系列的3款新成員:一款1700 V EliteSiC MOSFET和兩款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二極管。這些新的器件為能源基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用提供可靠、高能效的性能,并突顯安森美在工業(yè)碳化硅方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者地位。
安森美的1700 V EliteSiC MOSFET(NTH4L028N170M1),提供高功率工業(yè)應(yīng)用所需的更高擊穿電壓(BV)的SiC方案。兩款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二極管(NDSH25170A、NDSH10170A)讓設(shè)計(jì)人員能夠?qū)崿F(xiàn)在高溫高壓下穩(wěn)定運(yùn)行、同時(shí)由SiC賦能高能效的設(shè)計(jì)。
安森美執(zhí)行副總裁兼電源方案部總經(jīng)理Simon Keeton說(shuō):
新的1700 V EliteSiC器件提供出色的能效和更低的功率損耗,加強(qiáng)了我們EliteSiC系列產(chǎn)品在性能和品質(zhì)方面的高標(biāo)準(zhǔn),同時(shí)也進(jìn)一步擴(kuò)大了安森美EliteSiC的深度和廣度。加上我們的端到端SiC制造能力,安森美提供的技術(shù)和供貨保證可以滿(mǎn)足工業(yè)能源基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)驅(qū)動(dòng)提供商的需求。
可再生能源應(yīng)用正不斷向更高的電壓發(fā)展,其中太陽(yáng)能系統(tǒng)正從1100 V向1500 V直流母線發(fā)展。為了支持這變革,客戶(hù)需要具有更高擊穿電壓(BV)值的MOSFET。新的1700 V EliteSiC MOSFET的最大Vgs范圍為-15 V/25 V,適用于柵極電壓提高到-10 V的快速開(kāi)關(guān)應(yīng)用,提供更高的系統(tǒng)可靠性。
在1200 V、40 A的測(cè)試條件下,1700 V EliteSiC MOSFET的柵極電荷(Qg)達(dá)到領(lǐng)先市場(chǎng)的200 nC,而同類(lèi)競(jìng)爭(zhēng)器件的Qg近300 nC。低Qg對(duì)于在快速開(kāi)關(guān)、高功率可再生能源應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高能效至關(guān)重要。
在1700 V的額定擊穿電壓(BV)下,EliteSiC肖特基二極管器件在最大反向電壓(VRRM)和二極管的峰值重復(fù)反向電壓之間提供了更好的余量。新器件還具有出色的反向漏電流性能,其最大反向電流(IR)在25°C時(shí)僅為40 μA,在175°C時(shí)為100 μA ——明顯優(yōu)于在25°C時(shí)額定值通常為100 μA的競(jìng)爭(zhēng)器件。
欲了解關(guān)于安森美的EliteSiC方案的更多信息,請(qǐng)?jiān)L問(wèn)onsemi.cn或于美國(guó)時(shí)間1月5日至8日在美國(guó)內(nèi)華達(dá)州拉斯維加斯舉行的消費(fèi)電子展覽會(huì)(CES)蒞臨安森美展臺(tái)。
關(guān)于安森美(onsemi)
安森美(onsemi, 納斯達(dá)克股票代號(hào):ON)正推動(dòng)顛覆性創(chuàng)新,幫助建設(shè)更美好的未來(lái)。公司專(zhuān)注于汽車(chē)和工業(yè)終端市場(chǎng),正加速推動(dòng)大趨勢(shì)的變革,包括汽車(chē)功能電子化和安全、可持續(xù)電網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化以及5G和云基礎(chǔ)設(shè)施等。安森美提供高度差異化的創(chuàng)新產(chǎn)品組合以及智能電源和智能感知技術(shù),以解決全球最復(fù)雜的挑戰(zhàn),引領(lǐng)創(chuàng)造更安全、更清潔、更智能的世界。安森美位列《財(cái)富》美國(guó)500強(qiáng),也被納入標(biāo)普500指數(shù)。了解更多關(guān)于安森美的信息,請(qǐng)?jiān)L問(wèn):http://www.onsemi.cn。