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安森美(onsemi)推出的超高能效1200V IGBT
2023-12-21 257次

  全新第7代1200V IGBT

  安森美(onsemi)推出的超高能效1200V IGBT,具備業(yè)界領(lǐng)先的性能水平,能最大程度降低導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗,助力客戶(hù)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

全新FS7 S系列采用新穎的場(chǎng)截止第7代IGBT和二極管技術(shù),集成一個(gè)經(jīng)優(yōu)化的二極管以實(shí)現(xiàn)低VF 、微調(diào)的開(kāi)關(guān)軟度,可在高達(dá)175°C的結(jié)溫 (TJ) 下工作。FGY140T120SWD在市場(chǎng)上現(xiàn)有的1200V IGBT中具有領(lǐng)先的開(kāi)關(guān)性能。

 

 

  儲(chǔ)能系統(tǒng)方案

  電池可以用來(lái)儲(chǔ)存太陽(yáng)能等可再生能源在高峰時(shí)段產(chǎn)生的能量,這樣當(dāng)環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時(shí),就可以利用這些儲(chǔ)存的能量。

了解電池儲(chǔ)能系統(tǒng) (BESS) 的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)和考慮因素、常用拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)以及選擇最適合您要求的電源轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體器件的技巧。

 

  首次精確仿真

  Elite Power Simulator在線(xiàn)仿真工具和PLECS模型自助生成工具,使工程師在開(kāi)發(fā)周期的早期階段,通過(guò)對(duì)復(fù)雜電力電子應(yīng)用進(jìn)行系統(tǒng)級(jí)仿真,獲得有價(jià)值的參考信息。

Elite Power仿真工具通過(guò)引領(lǐng)業(yè)界的PLECS模型推動(dòng)先進(jìn)技術(shù)的發(fā)展,這些模型適用于DC-DC LLC和CLLC諧振、雙有源橋和相移全橋等硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

 

  150V N溝道MOSFET

  屏蔽柵PowerTrench

  安森美屏蔽柵 PowerTrench® MOSFET將導(dǎo)通電阻降至盡可能低,并通過(guò)領(lǐng)先的軟體二極管保持卓越的開(kāi)關(guān)性能。與其他MOSFET相比,這些MOSFET的Qrr更低。

  

 

  IGBT模塊 A-Type NPC

  1000V, 800A IGBT

  NXH800A100L4Q2包含一個(gè)A-Type NPC級(jí),集成1000V FS4 IGBT、1000V極快二極管和一個(gè)NTC熱敏電阻。

  

 

  • 安森美推出第七代SPM31智能功率模塊 (IPM)
  • onsemi安森美推出采用了新的場(chǎng)截止第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術(shù)的1200V SPM31智能功率模塊 (IPM)。與市場(chǎng)上其他領(lǐng)先的解決方案相比, SPM31 IPM 能效更高、尺寸更小、功率密度更高,因而總體系統(tǒng)成本更低。
    2024-02-28 253次
  • 安森美(onsemi)推出的超高能效1200V IGBT
  • 安森美(onsemi)推出的超高能效1200V IGBT,具備業(yè)界領(lǐng)先的性能水平,能最大程度降低導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗,助力客戶(hù)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
    2023-12-21 258次
  • 安森美1700 V EliteSiC MOSFET碳化硅SiC系列
  • 新的1700 V EliteSiC器件提供出色的能效和更低的功率損耗,加強(qiáng)了我們EliteSiC系列產(chǎn)品在性能和品質(zhì)方面的高標(biāo)準(zhǔn),同時(shí)也進(jìn)一步擴(kuò)大了安森美EliteSiC的深度和廣度。 EliteSiC系列產(chǎn)品碳化硅(SiC)。
    2023-01-07 623次
  • 安森美NCD83591 60 V、3相柵極驅(qū)動(dòng)器
  • NCD83591是一款60 V、3相柵極驅(qū)動(dòng)器,專(zhuān)為無(wú)刷直流,簡(jiǎn)稱(chēng)“BLDC電機(jī)應(yīng)用而設(shè)計(jì),集成了三個(gè)獨(dú)立的半橋驅(qū)動(dòng)器和一個(gè)檢測(cè)放大器,以提供簡(jiǎn)單易用的柵極驅(qū)動(dòng)器。
    2022-12-10 548次
  • 安森美推出TCPAK57封裝MOSFET
  • 新的Top Cool器件采用TCPAK57封裝,尺寸僅5 mm x 7 mm,在頂部有一個(gè)16.5?mm2的熱焊盤(pán),可以將熱量直接散發(fā)到散熱器上,而不是通過(guò)傳統(tǒng)的印刷電路板(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“PCB”)散熱。
    2022-11-30 701次

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