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  汽車市場正在經歷一場變革，隨著電動汽車(EV)采用率的迅速增加，銷售預測數(shù)據(jù)也在不斷上調。電動汽車雖然只占整個市場的一小部分，但據(jù)預測，2025年售出的電動汽車將達到1000萬輛，到2050年，所有售出的汽車中超過50%是電動汽車。

  xEV車輛的增長和充電基礎設施的需求正在加速，在xEV應用中，系統(tǒng)層面涉及主逆變器和發(fā)電機、升壓轉換器、DC-DC轉換器、車載充電器;器件封裝類型包括分立式、電源模塊;功率器件種類有硅MOSFET、硅IGBT、硅BJT(雙極晶體管)、碳化硅(SiC)MOSFET和氮化鎵(GaN)HEMT等。

  前不久在深圳特展的電動交通論壇上，安森美(onsemi)電源方案部工程師Jerry Yuan先生分享了快速直流充電樁方案如何提升汽車的續(xù)航能力。

  安森美的智能電源產品和方案廣泛應用于充電樁，當中包括Elite SiC碳化硅方案、IGBT電源模塊以及門極驅動器等。豐富的參考設計和支持工具能助工程師簡化設計，最大化能效以及減小尺寸。

  借助其出色的物理特性(高飽和電子漂移速度、高熱導率和高擊穿電場)， SiC MOSFET器件可以實現(xiàn)更低的損耗和更快的開關速度，并且其幾何尺寸比硅 (Si) MOSFET更小。

  安森美提供一系列SiC方案支持汽車功能電子化，使客戶能夠根據(jù)其系統(tǒng)要求靈活地選擇分立或模塊解決方案。產品包括多種SiC二極管、SiC MOSFET、SiC模塊以及硅和SiC混合模塊。