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英飛凌完成收購(gòu)氮化鎵系統(tǒng)公司GaN Systems
2023-10-30 436次


  德國(guó)慕尼黑和加拿大渥太華訊——英飛凌科技于2023年10月24日宣布完成收購(gòu)氮化鎵系統(tǒng)公司(GaN Systems,以下同)。這家總部位于加拿大渥太華的公司,為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉(zhuǎn)換解決方案產(chǎn)品組合和領(lǐng)先的應(yīng)用技術(shù)。已獲得所有必要的監(jiān)管部門審批,交易結(jié)束后,GaN Systems 已正式成為英飛凌的組成部分。

  英飛凌科技首席執(zhí)行官 Jochen Hanebeck 表示,“氮化鎵技術(shù)為打造更加低碳節(jié)能的解決方案掃清了障礙,有助于推動(dòng)低碳化進(jìn)程。收購(gòu) GaN Systems 將顯著推進(jìn)公司的氮化鎵技術(shù)路線圖,并讓我們同時(shí)擁有所有主要的功率半導(dǎo)體技術(shù),進(jìn)一步增強(qiáng)英飛凌在功率系統(tǒng)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。我們歡迎 GaN Systems 的新同事加入英飛凌?!?/span>

  目前,英飛凌共有450名氮化鎵技術(shù)專家和超過350個(gè)氮化鎵技術(shù)專利族,這進(jìn)一步擴(kuò)大了英飛凌在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),并將大幅縮短新產(chǎn)品上市周期。英飛凌和 GaN Systems 在知識(shí)產(chǎn)權(quán)、對(duì)應(yīng)用的深刻理解以及成熟的客戶項(xiàng)目規(guī)劃方面優(yōu)勢(shì)互補(bǔ),這為英飛凌滿足各種快速增長(zhǎng)的應(yīng)用需求創(chuàng)造了極為有利的條件。

  2023年3月2日,英飛凌和 GaN Systems 聯(lián)合宣布,雙方已簽署最終協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議,英飛凌將斥資8.3億美元收購(gòu) GaN Systems。這筆“全現(xiàn)金”收購(gòu)交易是使用現(xiàn)有的流動(dòng)資金來完成的。

  • Neutron Controls與英飛凌合作汽車電池管理平臺(tái)
  • 英飛凌科技的解決方案可幫助工程師開發(fā)可靠的汽車電池管理系統(tǒng)(BMS)。英飛凌首選設(shè)計(jì)公司Neutron Controls現(xiàn)已發(fā)布ECU8?系統(tǒng)平臺(tái),能夠加速基于英飛凌芯片組的電池管理系統(tǒng)(BMS)開發(fā)。通過該平臺(tái),Neutron Controls及其設(shè)計(jì)服務(wù)客戶可以為電池管理單元提供完整的半導(dǎo)體硬件和軟件平臺(tái)解決方案,并符合ASIL-D, ISO26262標(biāo)準(zhǔn),從而顯著減少開發(fā)工作量。
    2023-10-30 429次
  • 英飛凌完成收購(gòu)氮化鎵系統(tǒng)公司GaN Systems
  • 德國(guó)慕尼黑和加拿大渥太華訊——英飛凌科技于2023年10月24日宣布完成收購(gòu)氮化鎵系統(tǒng)公司(GaN Systems,以下同)。這家總部位于加拿大渥太華的公司,為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉(zhuǎn)換解決方案產(chǎn)品組合和領(lǐng)先的應(yīng)用技術(shù)。
    2023-10-30 437次
  • 英飛凌采用150V OptiMOS功率MOSFET 電機(jī)驅(qū)動(dòng)評(píng)估板
  • EVAL-6ED2742S01QM1評(píng)估套件包括一塊三相逆變功率板,內(nèi)含額定電壓為160V 的6ED2742S01Q(5x5 VQFN-32)三相柵極驅(qū)動(dòng)器,驅(qū)動(dòng)六個(gè)額定電壓為150V的 OptiMOS? MOSFET BSC074N15NS5 (5x6 Super SO8)。
    2023-10-25 454次
  • 英飛凌攜手英飛源拓展新能源汽車充電市場(chǎng)
  • 英飛凌科技宣布與中國(guó)的新能源汽車充電市場(chǎng)領(lǐng)軍企業(yè)英飛源達(dá)成合作。英飛凌將為英飛源提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的1200 V CoolSiC? MOSFET功率半導(dǎo)體器件,用于提升電動(dòng)汽車充電站的效率。
    2023-10-12 394次
  • 英飛凌新能源“東風(fēng)”下的碳化硅(SiC)
  • 所謂第三代半導(dǎo)體,指的是以碳化硅(SiC)、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料,與前兩代半導(dǎo)體材料相比,具備高頻、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性能,因此在新能源車、光伏、風(fēng)電、5G基站、高鐵等領(lǐng)域有著很大應(yīng)用潛力。
    2023-07-07 464次

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