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Micron美光宣布開始送樣增強(qiáng)版通用閃存UFS 4.0
2024-03-04 370次

  Micron美光科技股份有限公司,宣布開始送樣增強(qiáng)版通用閃存(UFS) 4.0 移動(dòng)解決方案,該方案具有突破性專有固件功能并采用業(yè)界領(lǐng)先的緊湊型 UFS 封裝 (9 x 13mm) ?;谙冗M(jìn)的 232 層 3D NAND 技術(shù), 美光 UFS 4.0 解決方案可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 1 TB 容量,其卓越性能和端到端技術(shù)創(chuàng)新將助力旗艦智能手機(jī)實(shí)現(xiàn)更快的響應(yīng)速度和更靈敏的使用體驗(yàn)。

  

 

  美光 UFS 4.0 的順序讀取速度和順序?qū)懭胨俣确謩e高達(dá) 4300 MBps 和 4000 MBps,較前代產(chǎn)品相比性能1提升一倍,為數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用提供了更出色的使用體驗(yàn)。憑借高速性能,用戶能更快地啟動(dòng)常用的生產(chǎn)力、創(chuàng)意和新興 AI 應(yīng)用。生成式 AI 應(yīng)用中的大語(yǔ)言模型加載速度可提高 40%2,為用戶與 AI 數(shù)字助手的對(duì)話提供更流暢的使用體驗(yàn)。


美光最新推出的 UFS 4.0 解決方案采用業(yè)界領(lǐng)先的緊湊型 UFS 封裝,在降低功耗的同時(shí)可提供一流的存儲(chǔ)性能。該解決方案憑借突破性的固件升級(jí),使智能手機(jī)始終保持出廠時(shí)的流暢運(yùn)行狀態(tài),同時(shí)通過(guò)更強(qiáng)的性能、靈活性和可擴(kuò)展性,進(jìn)一步提升了移動(dòng)存儲(chǔ)性能標(biāo)準(zhǔn),助力智能手機(jī)加速普及生成式 AI 功能。

 

  緊湊的封裝設(shè)計(jì)為超薄節(jié)能型智能手機(jī)奠定基礎(chǔ)

自去年 6 月推出 11mm x 13mm 封裝規(guī)格的 UFS 4.0 解決方案后,美光進(jìn)一步縮小 UFS 4.0 的外形規(guī)格以實(shí)現(xiàn)更緊湊的 9mm x 13mm 托管型 NAND 封裝。尺寸更小巧的 UFS 4.0 為下一代折疊及超薄智能手機(jī)設(shè)計(jì)帶來(lái)了更多可能性,制造商可利用節(jié)省出來(lái)的空間放置更大容量的電池。此外,新版UFS 4.0解決方案可將能效提升 25%3,使用戶在運(yùn)行 AI、AR、游戲和多媒體等耗電量高的應(yīng)用時(shí)獲得更長(zhǎng)的續(xù)航時(shí)間。

 

  美光專有固件創(chuàng)新,進(jìn)一步提升移動(dòng)閃存標(biāo)準(zhǔn)

  此次增強(qiáng)版 UFS 4.0 基于美光去年量產(chǎn)的 UFS 4.0 產(chǎn)品,可提供多項(xiàng)專有固件更新功能,包括:

  ? 高性能模式 (HPM):該專有功能通過(guò)優(yōu)先處理關(guān)鍵任務(wù)而非后臺(tái)任務(wù),以提升智能手機(jī)在密集使用期間的性能。開啟 HPM 后,存儲(chǔ)訪問(wèn)速度可提升一倍,助力手機(jī)在啟動(dòng)多應(yīng)用時(shí)速度提升超過(guò) 25%4。

  ? 一鍵刷新 (OBR):OBR 功能通過(guò)自動(dòng)清理和優(yōu)化數(shù)據(jù),幫助用戶獲得更持久的卓越性能,使智能手機(jī)始終保持宛如全新狀態(tài)的流暢運(yùn)行體驗(yàn)。更快的讀/寫性能可提升10% 的應(yīng)用啟動(dòng)速度5,實(shí)現(xiàn)更快的相冊(cè)訪問(wèn)速度和流暢的多任務(wù)處理,為用戶提供更好的體驗(yàn)。

? 分區(qū) UFS (ZUFS):美光 UFS 4.0 現(xiàn)支持主機(jī)指定不同的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)域,以提升設(shè)備的長(zhǎng)期使用體驗(yàn)。ZUFS 能夠有效應(yīng)對(duì)寫入放大現(xiàn)象,在不降低設(shè)備性能的前提下,盡可能利用有限的編程和擦除周期,從而延長(zhǎng)智能手機(jī)使用壽命,并長(zhǎng)期保持流暢的使用體驗(yàn)。

 

  美光工程師團(tuán)隊(duì)在其全球?qū)嶒?yàn)室中通過(guò)預(yù)測(cè)新興使用場(chǎng)景、模擬現(xiàn)實(shí)應(yīng)用環(huán)境以及與客戶密切協(xié)作收集反饋,成功打造出這些創(chuàng)新的固件功能。在位于美國(guó)、中國(guó)和韓國(guó)的客戶聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室中,美光與智能手機(jī)廠商密切合作,通過(guò)了解廠商面臨的痛點(diǎn)問(wèn)題,開發(fā)具有針對(duì)性的解決方案來(lái)解決技術(shù)瓶頸。

 

  美光增強(qiáng)版 UFS 4.0 現(xiàn)已出樣,并提供 256 GB、512GB 和 1TB 的容量選項(xiàng)。擴(kuò)展的容量可支持旗艦智能手機(jī)容納設(shè)備端 AI 助手分析和生成的所有數(shù)據(jù),以及用戶不斷增加的圖片素材,釋放 AI 的優(yōu)勢(shì)并獲得比云存儲(chǔ)更高的安全性。通過(guò)本地?cái)?shù)據(jù)存儲(chǔ),用戶能夠在離線或網(wǎng)絡(luò)信號(hào)不穩(wěn)定的情況下隨時(shí)訪問(wèn)個(gè)人數(shù)據(jù),從強(qiáng)大的 AI 功能中受益。

 

  • Micron美光宣布開始送樣增強(qiáng)版通用閃存UFS 4.0
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    2024-03-04 371次
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  • Micron美光宣布1β(1-beta)制程技術(shù)應(yīng)用于16Gb 容量版本的 DDR5 內(nèi)存。美光 1β DDR5 DRAM 在系統(tǒng)內(nèi)的速率高達(dá) 7,200 MT/s,現(xiàn)已面向數(shù)據(jù)中心及 PC 市場(chǎng)的所有客戶出貨?;?1β 節(jié)點(diǎn)的美光 DDR5 內(nèi)存采用先進(jìn)的 High-K CMOS 器件工藝、四相時(shí)鐘和時(shí)鐘同步技術(shù)1,相比上一代產(chǎn)品,性能提升高達(dá) 50%2,每瓦性能提升 33%3。
    2023-10-20 381次
  • 美光推出兩款固態(tài)硬盤 (SSD)美光 6500 ION NVMe SSD 及美光 XTR NVMe SSD
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    2023-05-20 522次
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    2022-12-19 629次
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  • Micron 5210 ION SSD能夠助力突破性地將數(shù)據(jù)分析結(jié)果轉(zhuǎn)化為行動(dòng),在不增加成本的前提下,讓讀取密集型工作負(fù)載擺脫性能緩慢的HDD。Micron 5210 SSD的速度使及時(shí)獲取洞見與智慧成為可能,為實(shí)時(shí)分析、大數(shù)據(jù)、流媒體、塊和對(duì)象存儲(chǔ)、人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)數(shù)據(jù)湖查詢等提供使能能力。
    2022-11-21 1839次

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