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  長(zhǎng)電科技公司在先進(jìn)封測(cè)技術(shù)領(lǐng)域又取得新的突破，實(shí)現(xiàn)4納米(nm)工藝制程手機(jī)芯片的封裝，以及CPU、GPU和射頻芯片的集成封裝。4納米芯片是5納米之后、3納米之前，先進(jìn)的硅節(jié)點(diǎn)技術(shù)，也是導(dǎo)入小芯片(Chiplet)封裝的一部分。作為集成電路領(lǐng)域的頂尖科技產(chǎn)品之一，4納米芯片可被應(yīng)用于智能手機(jī)、5G通信、人工智能、自動(dòng)駕駛，以及包括GPU、CPU、現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGA)、專(zhuān)用集成電路(ASIC)等產(chǎn)品在內(nèi)的高性能計(jì)算(HPC)領(lǐng)域。

  在市場(chǎng)的不斷推動(dòng)下，包括消費(fèi)電子等領(lǐng)域產(chǎn)品不斷朝向小型化與多功能化發(fā)展，芯片尺寸越來(lái)越小、種類(lèi)越來(lái)越多，對(duì)先進(jìn)封測(cè)技術(shù)的需求也越來(lái)越高。諸如4納米等先進(jìn)工藝制程芯片，需要先進(jìn)的封裝技術(shù)以確保其更好的系統(tǒng)級(jí)電學(xué)、熱學(xué)性能。

  同時(shí)，封裝技術(shù)也在向多維異構(gòu)發(fā)展。相比于傳統(tǒng)的芯片疊加技術(shù)，多維異構(gòu)封裝通過(guò)導(dǎo)入硅中介層、重布線中介層及其多維結(jié)合，來(lái)實(shí)現(xiàn)更高維度芯片封裝。該中介層封裝的另一特點(diǎn)是能夠優(yōu)化組合不同的密度布線和互聯(lián)從而達(dá)到性能和成本的有效平衡。

  長(zhǎng)電科技的XDFOI?多維先進(jìn)封裝技術(shù)，就是一種面向小芯片的極高密度、多扇出型封裝高密度異構(gòu)集成解決方案，其利用協(xié)同設(shè)計(jì)理念實(shí)現(xiàn)了芯片成品集成與測(cè)試一體化，涵蓋2D、2.5D、3D集成技術(shù)，能夠?yàn)榭蛻?hù)提供從常規(guī)密度到極高密度，從極小尺寸到極大尺寸的一站式服務(wù)。