h1_key

  近年來市場對于消費電子和通信電子等的需求持續(xù)增長，扇出型封裝受到市場青睞。扇出型封裝維持了WLCSP輕薄短小的外形特點，良好的電性能及散熱性能;同時，由于走線/管腳可以延伸于芯片之外，可以實現(xiàn)更好的設(shè)計靈活性，而芯片側(cè)壁及底部的塑封材料則可以提供有效的后續(xù)工藝操作保護和使用場景可靠性保護。

  扇出型封裝面臨的問題：

  扇出型封裝需要經(jīng)過晶圓重構(gòu)，在此過程中，需要將芯片粘附在設(shè)定位置，但是往往因機臺撿取放置精度，塑封料和芯片之間在熱壓流動過程的互動，導(dǎo)致芯片偏離設(shè)計位置。

  偏移主要會影響到后續(xù)光刻對位和布線，而又因重構(gòu)晶圓在后續(xù)制作中包含塑封料、芯片、絕緣層、金屬層等不同材料，熱膨冷縮會導(dǎo)致翹曲產(chǎn)生，嚴重的晶圓翹曲甚至?xí)?dǎo)致后續(xù)制程無法進行。

  以上問題從封裝設(shè)計時便會帶來諸多掣肘，特別是對于小芯片的扇出封裝，在晶圓重構(gòu)過程中會因有效鍵合面積的不足造成鍵合不牢從而導(dǎo)致異常偏移。

  這種異常偏移情況同樣在多芯片情況下也更嚴重。而翹曲問題導(dǎo)致傳統(tǒng)封裝扇出比(封裝尺寸/芯片尺寸)受限或有效使用面積的下降。因此，小尺寸、大扇出比封裝對于傳統(tǒng)扇出封裝工藝仍然是一個挑戰(zhàn)。

  為了應(yīng)對上述問題，為封裝設(shè)計提供更多的便利和靈活性，ECP (Encapsulation Chip Package) 技術(shù)由此應(yīng)運而生。

  ECP技術(shù)是一種Chip first, Face down先進封裝工藝，與其他采用晶圓重構(gòu)塑封料塑封封裝工藝不同，ECP工藝并非采用液態(tài)或者粉體塑封料，取而代之使用包覆塑封膜。

  除此之外，通過包覆整平工藝取代晶圓塑封以實現(xiàn)芯片的超薄封裝。該工藝不僅可以獲得平整度較高的重構(gòu)晶圓，并且可以有效避免在包覆膜包覆過程中產(chǎn)生空洞。

  另一方面相對于使用液態(tài)或者粉體晶圓塑封重構(gòu)工藝，包覆整平工藝還可以有效降低芯片偏移問題，實現(xiàn)小尺寸芯片，大扇出比封裝。

  此外，得益于ECP的特殊流程和包覆膜的低模量特性，重構(gòu)晶圓背面的硅片支撐體可以有效降低重構(gòu)晶圓的翹曲，克服傳統(tǒng)扇出型封裝因翹曲引起的制程作業(yè)問題。

  長電科技ECP工藝技術(shù)在實現(xiàn)扇出型，單芯片及多芯片封裝的同時，還可以實現(xiàn)芯片的五面封裝保護。并且可以有效克服晶圓翹曲問題，可以實現(xiàn)小尺寸芯片，大扇出比扇出封裝的重大突破。